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类别: 离散半导体产品 > 晶体管 > FET, MOSFET > 单个FET, MOSFET
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制造商: 恩智浦半导体美国公司
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封装：卷带包装（TR），剪带包装（CT），Digi-Reel®
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零件状态：活跃
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FET 类型: N沟道
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技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
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漏源电压 (Vdss): 100 V
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瞬态 – 25°C时的持续漏电流 (Id)：18 A (Tj)
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驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：10 V
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导通电阻 (最大值) @ Id, Vgs: 71 mΩ @ 5 A, 10 V
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栅极阈值电压 (Vgs(th) 最大值) @ Id: 4 V @ 1 mA
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栅极充电 (Qg Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
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栅源电压 (Vgs 最大值): ±20 V
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输入电容 (Ciss 最大值) @ Vds: 773 pF @ 50 V
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FET 功能：标准
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功耗（最大）：65 W（Tc）
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工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
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安装类型：表面贴装技术 (SMT)
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封装/包装: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5引脚)
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供应商包装: LFPAK33
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基础产品编号: PSMN075
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